BGaN 中 $V_{N}-V_{Ga}$ 复合缺陷的电子顺磁共振
材料科学
2023-04-07 v1
摘要
报道了在生长温度为 840 {\deg}C 至 1090 {\deg}C 的掺硼 GaN () 外延层中，低温下的亚稳态光致电子顺磁共振(EPR)信号。对于所有硼含量在 0.73% 至 2.51% 之间的样品，观察到一条 g = 2.004 的各向同性 EPR 谱线，其强度依赖于生长温度。将 EPR 强度的温度依赖性与高分辨光致瞬态谱(HRPITS)的结果进行了比较。这使得可以将特定陷阱与 EPR 信号联系起来。这些陷阱的激活能与 复合缺陷的理论位置一致。具有 30 meV 激活能的 EPR 信号的热退火对应于浅施主电离。提出了一种解释光诱导 EPR 信号的模型，该模型涉及通过光激发至导带在深施主与浅施主之间进行的电子重新分布。
引用
@article{arxiv.2304.03027,
title = {Electron Paramagnetic Resonance of $V_{N}-V_{Ga}$ complex in $BGaN$},
author = {Jakub Kierdaszuk and Ewelina. B. Możdżyńska and Aneta Drabińska and Andrzej Wysmołek and Jacek M. Baranowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.03027},
year = {2023}
}