中子辐照六方氮化硼中点缺陷的电子顺磁共振特征
材料科学
2018-10-17 v2
摘要
六方氮化硼（h-BN）因其大带隙而成为研究荧光缺陷的一种引人注目的范德瓦耳斯材料。在这项工作中，我们展示了由中子辐照增强的粉红色，并进行了电子顺磁共振（EPR）测量。这些新点缺陷被暂定为双占据氮空位，其 S = 1 且零场分裂 D = 1.2 GHz。这些缺陷与一个宽可见光学吸收带以及分别以约 490 nm 和 820 nm 为中心的近红外光致发光带相关。EPR 信号强度在 600 至 800{\deg}C 温度范围内的热处理影响下显著变化，同时辐照诱发的粉红色也在此消失。我们的结果对于理解 h-BN 中的点缺陷及其在量子与集成光子学应用中的部署具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1807.05393,
title = {Electron Paramagnetic Resonance signature of point defects in neutron irradiated hexagonal Boron Nitride},
author = {J. R. Toledo and D. B. de Jesus and M. Kianinia and A. S. Leal and C. Fantini and L. A. Cury and G. M. Sáfar and I. Aharonovich and K. Krambrock},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.05393},
year = {2018}
}