烧结多晶ZnO的缺陷相关光致发光和EPR研究
材料科学
2012-02-29 v1
摘要
我们报道了块体多晶ZnO的低温光致发光（PL）和EPR研究。施主束缚激子跃迁（D1XA）和FXAn=1-1LO的峰位随泵浦强度的变化分别显示红移和蓝移，这是由于激子-激子散射所致。EPR谱在g值分别为1.985、1.956和1.939处显示三个峰，g=1.956和g=1.985分别归因于浅施主锌间隙和氧空位。100 K下的EPR谱显示出更高程度的不对称性和超精细分裂，这是由于晶体场和顺磁中心的不均匀弛豫所致。利用各种激子发射的PL峰位讨论了样品中晶体场分裂（CFS）和自旋轨道耦合（SOC）的强度。而顺磁中心的不均匀弛豫则根据其在热猝灭过程中的激活能进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1202.6335,
title = {Defect related photoluminescence and EPR study of sintered polycrystalline ZnO},
author = {Sanjiv Kumar Tiwari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6335},
year = {2012}
}
备注
16 pages, 6 figures, submitted to Journal of Physics D