多晶ZnO在特征温度以下的放大发射研究
光学
2012-02-29 v1 材料科学
摘要
我们报告了多晶ZnO在100K以下的放大发射。在6K时，发射分别来自自由激子FXn=1 A (3.378 eV)、束缚激子D1XA (3.347 eV)、施主-受主对DAP (3.275 eV)以及自由激子的纵向声子伴线(FXn=1 A -mLO, m=1,2,3)。由于激子-激子散射，D1XA和FXn=1 A -1LO跃迁的峰值强度随激发强度增加而非线性增加。随着激发强度增加，D1XA的峰值位置出现红移，而FXn=1 A -1LO出现蓝移。参与发射过程的激子比例和激子辐射寿命随温度降低而减小。D1XA的激发阈值随温度降低呈指数下降，直至100K；而在100K以下未观察到函数行为。FXn=1A-1LO发射的阈值在75K以下可观察到，在更高温度下则与D1XA混合。时间分辨光致发光测量表明，放大发射的衰减快于自发发射。
引用
@article{arxiv.1202.6338,
title = {Study of amplified emission in polycrystalline ZnO below characteristic temperature},
author = {Sanjiv Kumar Tiwari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6338},
year = {2012}
}
备注
18 pages, 6 figures, to be submitted