β-Ga2O3中Co2+与Cu2+的电子顺磁共振特征
材料科学
2020-01-08 v1
摘要
氧化镓（β-Ga2O3）是一种宽禁带化合物半导体，禁带宽度约4.9 eV，目前被认为在从透明导电电极到紫外光电子器件和功率电子器件的广泛应用中具有前景。然而，所有这些应用都要求对材料的电学和光学性质进行可靠且精确的控制，而这些性质可能大幅受杂质影响，例如生长过程中普遍存在的过渡金属。在本工作中，我们采用电子顺磁共振（EPR）谱学获取β-Ga2O3块体晶体和粉末中迄今未知的3d过渡金属Co2+和Cu2+的EPR特征。此外，我们表明Co2+和Cu2+均优先占据八面体镓晶格位。
引用
@article{arxiv.1909.05781,
title = {Electron paramagnetic resonance signatures of Co2+ and Cu2+ in b-Ga2O3},
author = {Jan E. Stehr and Detlev M. Hofmann and Weimin M. Chen and Irina A. Buyanova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.05781},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 3 figures