通过 Ga 浸入改善介孔二氧化硅的电子断层扫描
光学
2025-02-18 v1
摘要
电子断层扫描 (ET) 提供了介孔材料的纳米级三维表征，但常受限于其低散射衬度。在此，我们引入了一种针对介孔二氧化硅的镓 浸入策略，可显著改善成像衬度——这是实现更精确三维重建的关键优势。通过改进的压汞孔隙率测定法注入 Ga，高角环形暗场 (HAADF) STEM 信号增强了 5 倍，重建分辨率提高了 34%，界面锐度提高了 49%。此外，样品电导率的提高可最大程度减少充电效应并减少漂移，从而促进了聚焦离子束 (FIB) 铣削。该方法实现了对孔隙连通性和孔径分布的精确分割与定量分析，从而将 ET 的适用性扩展至轻元素非导电材料，并推进了复杂多孔系统的结构-性质表征。
关键词
引用
@article{arxiv.2502.11794,
title = {Improving electron tomography of mesoporous silica by Ga intrusion},
author = {Alexander Kichigin and Johannes Böhmer and Moritz Buwen and Benjamin Apeleo Zubiri and Mingjian Wu and Johannes Will and Dominik Drobek and Alexander Götz and Nora Vorlaufer and Jakob Söllner and Matthias Thommes and Peter Felfer and Thomas Przybilla and Erdmann Spiecker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.11794},
year = {2025}
}