Triethylgallium在β-Ga2O3中无损图案化损伤刻蚀工艺
材料科学
2024-08-13 v1 应用物理
摘要
本工作报告了利用三乙基镓(TEGa)对β-Ga2O3进行各向异性刻蚀特性的研究，刻蚀在MOCVD腔体内进行。当基板温度足够高时，TEGa可通过与Ga和Ga2O3之间的亚氧化物反应作为β-Ga2O3的强刻蚀剂。我们观察到，由于β-Ga2O3的单斜晶体结构，TEGa在(010)和(001)衬底上的刻蚀呈高度各向异性，包括侧壁粗糙度和横向刻蚀速率。仅在最小化侧壁表面能的晶体方向上才能获得光滑的侧壁。利用该技术，我们还制备了具有光滑侧壁和高比例的亚微米纹根。进一步地，我们通过在刻蚀表面制作肖特基二极管 demonstrating了TEGa刻蚀的无损伤特性，这些器件显示出净掺杂浓度无变化。
引用
@article{arxiv.2408.05824,
title = {In-situ Patterned Damage-Free Etching of 3-Dimensional Structures in \b{eta}-Ga2O3 using Triethylgallium},
author = {Nabasindhu Das and Fikadu Alema and William Brand and Abishek Katta and Advait Gilankar and Andrei Osinsky and Nidhin Kurian Kalarickal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.05824},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 5 figures, journal paper