机械剥离 \b{eta}-Ga2O3 与 p-GaN 之间的新型 PN 结
应用物理
2018-12-17 v1 材料科学
摘要
利用机械剥离的超宽禁带（UWBG）β相氧化镓（\b{eta}-Ga2O3）与 p 型氮化镓（GaN）构建了若干 pn 结。文中详细描述的机械剥离过程类似于石墨烯与其他二维材料。对剥离的 \b{eta}-Ga2O3 薄片的原子力显微镜（AFM）扫描显示其表面非常光滑，平均粗糙度为 0.647 nm；透射电子显微镜（TEM）扫描揭示了 \b{eta}-Ga2O3 薄片与 p-GaN 之间平坦、洁净的界面。该器件表现出约 541.3（V+5/V-5）的整流比。二极管性能在 25{\deg}C 至 200{\deg}C 温度范围内有所提升，由此得到非故意施主激活能为 135 meV。随着剥离 \b{eta}-Ga2O3 厚度的增加，理想因子与二极管开启电压均减小，并趋于由仿真确定的 3.2 V 理想阈值电压。本研究有助于促进机械剥离 \b{eta}-Ga2O3 与其他材料之间新型器件的研究。
引用
@article{arxiv.1812.05729,
title = {A Novel PN junction between Mechanically Exfoliated \b{eta}-Ga2O3 and p-GaN},
author = {Jossue Montes and Chen Yang and Houqiang Fu and Tsung-Han Yang and Xuanqi Huang and Jingan Zhou and Hong Chen and Kai Fu and Yuji Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.05729},
year = {2018}
}