可调 WO3/p-GaN 异质结的可视化
应用物理
2020-07-01 v1 材料科学
摘要
基于典型半导体的 p-n 结是现代电子器件与芯片产业的基本单元。而这些 p-n 结的整流特性一旦器件制备完成通常便是固定的。在此，我们提出了一种具有可控电学特性的可调 n-WO3/p-GaN 异质结。对于所制备的 n-WO3/p-GaN 异质结，其近乎透明并展现出典型的 p-n 结整流特性。而如果通过简易的电子-质子协同路径逐渐将一些氢原子掺杂进 WO3 层，该异质结可逐步从典型 p-n 结（n-WO3/p-GaN）动态转变为标准肖特基接触（HxWO3/p-GaN）。更重要的是，由于 WO3 层显著的电致变色特性，该演化过程可用肉眼直接观察。通过连接两个 HxWO3/p-GaN 异质结，可实现可控的双功能整流。此外，HxWO3/p-GaN 异质结仅通过在环境中退火即可恢复为原始 p-n 结，表明该异质结可控且可重复使用。本研究将为未来的动态电子器件开辟巨大机遇。
引用
@article{arxiv.2006.16570,
title = {Visualizing an adjustable WO3/p-GaN heterojunction},
author = {Yuliang Chen and Changlong Hu and Guobin Zhang and Chongwen Zou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16570},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 2 figures