基于本征缺陷梯度调控的拓扑p-n结实验实现
介观与纳米尺度物理
2016-04-14 v1
摘要
n型与p型半导体之间的结会导致耗尽区的产生，其性质构成了当今电子学的基础。若使用拓扑绝缘体作为组成材料来实现，p-n结有望展现出若干非常规效应，具有巨大的应用潜力。在实验上，迄今为止这些迷人特性均未被探索，主要因为易于实现和研究的原型拓扑p-n结尚不易获得。在此，我们报道了拓扑p-n结的制备，其宽度可窄至十分之几纳米，显示出110 meV的内建电势。这些结是通过对晶体中缺陷分布的热力学控制本征获得的。我们的结果使Bi2Te3成为探索拓扑p-n结物理的稳健可靠平台。
引用
@article{arxiv.1512.06554,
title = {Experimental realization of a topological p-n junction by intrinsic defect-grading},
author = {T. Bathon and S. Achilli and P. Sessi and V. A. Golyashov and K. A. Kokh and O. E. Tereshchenko and M. Bode},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.06554},
year = {2016}
}