一种通过表面掺杂制备热电材料理想 p-n 结界面的可行方法
材料科学
2020-07-21 v1
摘要
二维（2D）晶体的近期进展使得实现器件应用所需的理想界面结构成为可能。具体而言，由二维晶体构成的 p-n 结被预测具有原子级明确的界面，从而带来高器件性能。利用角分辨光电子能谱，一种简单的表面处理被证明可促成此类界面的可能形成。在 p 型掺杂 SnSe 表面吸附 Ta 使价带顶向更高结合能移动，这是由于从 Ta 到 SnSe 的电荷转移因 SnSe 的层状结构而高度局域于表面。结果，表面的电荷载流子由其体相特征的空穴变为电子，而体相仍保持 p 型半导体。该观察表明，在 Ta 吸附表面与体相之间形成了具有原子级薄 {\it n} 区的 p-n 结明确界面。
引用
@article{arxiv.2007.09393,
title = {A plausible method of preparing the ideal p-n junction interface of a thermoelectric material by surface doping},
author = {Ji-Eun Lee and Jinwoong Hwang and Minhee Kang and Hyun-Jeong Joo and Hyejin Ryu and Kyoo Kim and Yongsam Kim and Namdong Kim and Anh Tuan Duong and Sunglae Cho and Sung-Kwan Mo and Choongyu Hwang and Imjeong Ho-Soon Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.09393},
year = {2020}
}
备注
4 figures