电性属性对金属/半导体界面热边界导数率的影响
介观与纳米尺度物理
2026-02-20 v1 经典物理
摘要
近期实验研究表明，对半导体进行掺杂是提高金属/半导体界面热边界导数率的有效途径。本文我们探讨了电性属性对金属/掺杂半导体接缝热传递的影响。具体而言，我们在 p-掺杂硅和 n-掺杂硅与钛钙之间测量了界面热边界导数率，并通过频域光热辐射法在不同外部条件下进行实验。我们分析了半导体掺杂水平、势垒高度以及空间电荷区域的影响。特别值得注意的是，在 n-掺杂硅/钛界面应用电流时，我们报告了界面热导率提高了 40%。热边界导数率的提升是通过电流导致的表面电荷区域缩小所解释的。该研究为通过精细调控电效应来调制金属/半导体界面热传递开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2602.16725,
title = {Influence of electrical properties on thermal boundary conductance at metal/semiconductor interface},
author = {Quentin Pompidou and Juan Carlos Acosta Abanto and M. Brouillard and Nicolas Bercu and L. Giraudet and Rami Sheikh and C. Adessi and S. Mérabia and S. Gomès and Pierre-Olivier Chapuis and J. -F. Robillard and Mihai Chirtoc and N. Horny},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.16725},
year = {2026}
}