用于基于 STM 的掺杂器件制备的 Si(001) 上以乙硼烷进行的 p 型 $\delta$ 掺杂
介观与纳米尺度物理
2020-09-11 v1
摘要
利用扫描隧道显微镜（STM）针尖的氢抗蚀剂光刻技术在硅中图形化 p 型纳米结构。为此，通过低温输运实验表征了由气相掺杂制备的硼 层载流子密度与迁移率。测得方块电阻低至 。通过 STM 成像研究掺杂剂的吸附、掺入与表面扩散，得出光刻分辨率的上限为 2\,nm，这亦通过制备 7.5\,nm 宽 p 型纳米线并测量其电学性质得到证实。最后，为证明利用该技术制备双极掺杂器件的可行性，我们制备了 100\,nm 宽 pn 结，并表明其电学行为类似于 Esaki 二极管。
引用
@article{arxiv.1912.06188,
title = {P-type $\delta$-doping with Diborane on Si(001) for STM Based Dopant Device Fabrication},
author = {Tomáš Škereň and Sigrun Köster and Bastien Douhard and Claudia Fleischmann and Andreas Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.06188},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 5 figures