探测 STM 场发射图案化 Si:P $\delta$-掺杂器件的极限
介观与纳米尺度物理
2014-08-05 v1
摘要
最近，利用扫描隧道显微镜 (STM) 通过 H 解吸光刻技术，在 Si 中确定性地制造出了单原子晶体管，其中使用了磷。这一精度里程碑是通过在常规隧道模式下操作 STM 实现的，通常利用非常慢（）的图案化速度。相比之下，在高电压（）场发射模式下使用 STM，图案化速度可提高数个数量级，达到 。我们表明，快速图案化对相对较大的微米级特征（在这些器件中充当接触垫）的功能影响可忽略不计。对于纳米结构，我们表明，尽管图案化光斑尺寸为 ，但由此产生的输运与供体掺入化学一致，将器件定义增强至 尺度。
引用
@article{arxiv.1408.0697,
title = {Probing limits of STM field emission patterned Si:P $\delta$-doped devices},
author = {M. Rudolph and S. M. Carr and G. Subramania and G. Ten Eyck and J. Dominguez and T. Pluym and M. P. Lilly and M. S. Carroll and E. Bussmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.0697},
year = {2014}
}