STM诱导的Cl-Si(100)-(2x1)脱附与光刻图形化
介观与纳米尺度物理
2019-12-12 v2
摘要
我们研究了在 4 K 至 600 K 的样品温度下，STM 诱导的氯终止 Si(100)-(2x1) 表面氯脱附及光刻图形化。此前 STM 光刻主要聚焦于基于氢的化学工艺以制备施主器件。在此，为开发基于卤素的化学工艺以制备受主型器件，我们用氯替代了氢抗蚀剂。我们探索了使用场发射图形化从大面积脱附氯，以及原子精度图形化每次沿一到两行二聚体脱附氯的光刻图形化方法。我们改变了光刻图形化的实验参数，发现图形线宽与样品偏置电压及总电子剂量均呈正相关。最后，讨论了使用氯、溴和碘作为光刻抗蚀剂，以拓展未来利用卤素基掺杂前驱体进行器件制备的可用化学工艺范围。
引用
@article{arxiv.1808.05690,
title = {STM-induced desorption and lithographic patterning of Cl-Si(100)-(2x1)},
author = {K. J Dwyer and Michael Dreyer and R. E. Butera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05690},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 8 figures