卤素在 Bi$_2$(Se,Te)$_3$ 及 Bi/Bi$_2$(Se,Te)$_3$ 上的吸附与反应
材料科学
2018-06-19 v2
摘要
将 BiSe 和 BiTe，以及覆盖 Bi 膜的相同表面，在超高真空中暴露于 Br 和 Cl。利用低能电子衍射（LEED）和低能离子散射（LEIS）研究卤素暴露前后的表面组成。发现 Br 弱化学吸附于 Se 或 Te 终止的洁净表面，轻微退火可去除吸附物并恢复完整表面。相反，卤素在覆盖额外一层 Bi 双层的表面上解离吸附，具有 p 型掺杂效应。将这些卤素覆盖的表面在 130°C 退火会导致 Bi 原子被化学蚀刻掉，表面恢复为 Se 或 Te 终止。本工作展示了如何利用卤素吸附与反应来修饰此类材料的表面终止。
引用
@article{arxiv.1804.10229,
title = {Halogen adsorption and reaction with Bi$_2$(Se,Te)$_3$ and Bi/Bi$_2$(Se,Te)$_3$},
author = {Haoshan Zhu and Weimin Zhou and Jory A. Yarmoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.10229},
year = {2018}
}
备注
36 pages, 6 figures, 2 tables