硅上饱和烃：利用扫描隧道显微镜和量子理论量化解吸
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v2
摘要
实验上，在低温超高真空扫描隧道显微镜下研究了环戊烯从Si(100)-2x1表面的电子激发解吸，理论上则通过输运、电子结构和动力学计算进行研究。对于硅上的饱和烃，出乎意料的是，在偏压幅度低至2.5 V时观察到解吸，尽管解吸产率比先前报道的硅上不饱和分子低500至1000倍。解吸的低阈值电压可归因于分子与硅表面的杂化，这导致在费米能级2-3 eV内出现低能离子共振。这些共振寿命长、空间局域化，且相对于中性态处于平衡位移状态，导致激发时硅二聚体原子发生对称（正离子）或不对称（负离子）运动。这项研究强调了核动力学在硅基分子电子学中的重要性，并为控制此类动力学提出了新的指导方针。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607621,
title = {Saturated Hydrocarbons on Silicon: Quantifying Desorption with Scanning Tunneling Microscopy and Quantum Theory},
author = {N. L. Yoder and N. P. Guisinger and M. C. Hersam and R. Jorn and C. -C. Kaun and T. Seideman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607621},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 3 figures