通过空穴共振实现STM诱导的氢脱附
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
我们报道了在负样品偏压下，STM诱导H从Si(100)-H(2×1)表面脱附的现象。脱附速率对电流呈幂律依赖，并在-7 V时达到最大脱附速率。该脱附现象通过隧穿空穴与Si-H 5σ空穴共振的非弹性散射引起的H振动加热来解释。脱附速率对电流和偏压的依赖性采用一种新颖的非弹性散射计算方法进行分析，该方法包含了针尖与样品之间电场的影响。我们表明，-7 V时的最大脱附速率是由于在场发射区域起始处非弹性散射电子所占比例达到最大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9802304,
title = {STM induced hydrogen desorption via a hole resonance},
author = {K. Stokbro and C. Thirstrup and M. Sakurai and U. Quaade and Ben Yu-Kuang Hu and F. Perez-Murano and F. Grey},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9802304},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures. To appear in Phys. Rev. Lett