利用导电原子力显微镜探测器件的能带轮廓
介观与纳米尺度物理
2020-07-10 v1
摘要
电子器件的能带轮廓对于决定其性质具有根本重要性。亟需一种能够在纳米尺度上绘制器件内部及边缘能带轮廓的技术。常规扫描隧道谱（STS）可以在原子尺度上绘制能带结构，但仅限于大型导电样品的内部。在此，我们开发了一种基于导电原子力显微镜的接触模式 STS，能够消除这些限制。利用该技术，我们在室温下以纳米分辨率绘制了 MoS 晶体管的能带轮廓。发现在绝缘衬底上的 MoS 边缘 18 nm 范围内存在 0.6 eV 的能带弯曲。该技术将对各种电子器件的基础与应用研究具有重大用途。
引用
@article{arxiv.2007.04502,
title = {Detecting Band Profiles of Devices with Conductive Atomic Force Microscopy},
author = {Ranran Li and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Jiamin Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.04502},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 4 figures