MoS_2 表面的低温纳米尺度电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1 材料科学
摘要
在超高真空条件下，于低温 (30K) 对二硫化钼 (MoS_2) 表面进行了双探针电子输运测量。两个扫描隧道显微镜探针被精确定位在隧道接触状态，以测量表面电流 - 电压特性。探针之间的间距被可控地改变，并使用高分辨率扫描电子显微镜进行测量。MoS_2 表面显示出 1.4eV 的表面电子能隙 ()，该值是在 50nm 的探针间距下测得的。此外，在电子能隙之外测得的双探针电阻显示出随双探针间距变化的类二维行为。
引用
@article{arxiv.1308.3299,
title = {Low Temperature Nanoscale Electronic Transport on the MoS_2 surface},
author = {R. Thamankar and T. L. Yap and K. E. J. Goh and C. Troadec and C. Joachim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.3299},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 3 figures