拓扑锑纳米尺度能带结构成像
介观与纳米尺度物理
2013-11-08 v1 强关联电子
摘要
未来电子技术的许多有前景的构建模块——包括非化学计量化合物、强关联氧化物以及应变或图案化薄膜——在纳米长度尺度上是不均匀的。利用此类材料的不均匀性来设计下一代纳米器件，需要具有纳米级空间分辨率的能带结构探针。为了满足这一需求，我们报告了首次同时观测并定量协调两种候选探针——朗道能级谱学和准粒子干涉成像——我们利用它们重构了拓扑半金属锑 (Sb) 的多组分表面态能带结构。从而，我们建立了能带结构隧穿显微镜 (BSTM) 技术，其独特优势包括纳米级访问非刚性能带结构形变、空态色散以及磁场依赖态。我们利用 BSTM 阐明了拓扑材料中体电导率与表面态鲁棒性之间的关系，并量化了自旋电子学应用的关键指标。
引用
@article{arxiv.1311.1758,
title = {Imaging the Nanoscale Band Structure of Topological Sb},
author = {Anjan Soumyanarayanan and Michael M. Yee and Yang He and Hsin Lin and Dillon R. Gardner and Arun Bansil and Young S. Lee and Jennifer E. Hoffman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1758},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 5 figures