半导体-金属界面的能带弯曲剖面与能带偏移提取
材料科学
2019-10-08 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
半导体-金属界面的能带排列在现代电子学中起着至关重要的作用，但在理论上仍难以预测、在实验上难以测量。对于具有强能带弯曲的界面，主要困难源于内置电势，其导致谱学测量中能带谱的展宽与偏移。本工作中，我们提出一种利用核心能级光电子能谱与自洽电子结构模拟来解析埋藏半导体-金属界面能带排列的方法。作为原理验证，我们将该方法应用于清洁的原位生长的 InAs(100)/Al 界面，这是一个具有强内置能带弯曲的体系。由于核心能级谱的高信噪比，所提方法可用于先前无法触及的半导体-金属界面，并支持新型混合器件的定向设计，且为特定合成工艺的半导体-金属体系界面参数数据库奠定基础。
引用
@article{arxiv.1910.02735,
title = {Band bending profile and band offset extraction at semiconductor-metal interfaces},
author = {Sergej Schuwalow and Niels B. M. Schroeter and Jan Gukelberger and Candice Thomas and Vladimir Strocov and John Gamble and Alla Chikina and Marco Caputo and Jonas Krieger and Geoffrey C. Gardner and Matthias Troyer and Gabriel Aeppli and Michael J. Manfra and Peter Krogstrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02735},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 5 figures