解析 InAs/InAsSb 中波红外 II 型超晶格的能带对齐

本工作利用光致发光和光反射测量研究了三种具有不同周期的 InAs/InAs$_{0.65}$Sb$_{0.35}$ 超晶格，并使用 14 能带体材料 $k\cdot p$ 模型模拟了它们的能带结构。通过分析光谱特征随温度和激发功率的演化来确定光学跃迁的起源，对这些结构进行了研究。在识别出其中哪些与超晶格微带相关后，将观察到的大量高阶光学跃迁与折射率计算结果进行了比较。该过程用于调整理论模型的参数，即 InAsSb 价带偏移和带隙的弓曲参数。研究还表明，高阶态光谱结合折射率数值建模是改进材料参数的有力工具，为先进半导体异质结构的材料研究提供了一种新方法。