GaSb/AlSb短周期超晶格中的界面质量
材料科学
2021-09-17 v1
摘要
包含6.1Å半导体族（AlSb、GaSb和InAs）成员的异质结构用于红外光电器件以及多种其他应用。这些材料的短周期超晶格也因可创建具有定制红外介电函数的复合材料而备受关注。制备尖锐InAs/GaSb和InAs/AlSb界面所需的条件已为人熟知，但AlSb/GaSb界面则远未被充分理解。在本文中，我们测试了多种旨在改善AlSb/GaSb短周期超晶格界面锐度的干预措施。这些干预包括衬底温度、III:Sb束流比以及铋表面活性剂的使用。超晶格通过高分辨率X射线衍射和红外光谱进行表征。我们发现AlSb/GaSb短周期超晶格具有较宽的生长窗口，可在其中获得尖锐界面。
引用
@article{arxiv.2109.08082,
title = {Interface quality in GaSb/AlSb short period superlattices},
author = {Md Nazmul Alam and Joseph R. Matson and Patrick Sohr and Joshua D. Caldwell and Stephanie Law},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.08082},
year = {2021}
}