异构集成 GaAsSb/Si 光电二极管的主动界面特性
应用物理
2024-07-29 v2 材料科学
摘要
对 various compound semiconductors 与 Si 进行异构集成以应用于多种电子和光子应用已受到广泛关注。本文聚焦于将 GaAsSb（在 1550nm C 带吸收）与硅集成以制备光电二极管，采用等倾层转移（ELT）方法。比较两种 ELT 技术，即等倾掘离（ELO）和宏传递打印（MTP），将 GaAsSb 薄膜从 InP 衬底转移至 Si，构成 PIN 二极管。通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）进行表征，显示高质量、无缺陷的界面。电荷-电压（IV）测量和电容-电压（CV）分析验证了异质结构的质量和功能性。在室温和 200 K 下进行光电流测量，显示器件在 1550nm 处具有光响应，突出存在活跃界面的特征。
引用
@article{arxiv.2407.17607,
title = {Active Interface Characteristics of Heterogeneously Integrated GaAsSb/Si Photodiodes},
author = {Manisha Muduli and Yongkang Xia and Seunghyun Lee and Nathan Gajowski and Chris Chae and Siddharth Rajan and Jinwoo Hwang and Shamsul Arafin and Sanjay Krishna},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.17607},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 5 figures, Pages 15-16 supplementary information