用于中红外硅光子集成电路的GaSb光子器件微转印
应用物理
2024-09-23 v1
摘要
首次演示了基于GaSb增益芯片的3D集成技术，用于中红外波导集成电路。报告了GaSb券的释放工艺及其用于实现GaSb/Silicon混合光子器件上外部腔体激光器的转移。引入了评估增益芯片券关键特征的方法，包括利用 wafer 级工艺制备的刻面质量和facet涂层。该表征提供了洞悉制造因素如何限制增益券性能的见解。所实现的转印工艺性能为开发运行于2-3 m波长范围内的光子集成技术提供了坚实的里程碑。这对于部署与气体和生物标志物探测相关的新兴应用的中红外光子集成技术至关重要。
引用
@article{arxiv.2409.13413,
title = {Micro-transfer printing of GaSb optoelectronics chips for mid-infrared silicon photonics integrated circuits},
author = {Heidi Tuorila and Jukka Viheriälä and Yeasir Arafat and Fatih Bilge Atar and Fatima Gunning and Brian Corbett and Mircea Guina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.13413},
year = {2024}
}