用于原子分辨率下亚晶格应变分析的峰分离方法：在InAs/GaSb超晶格中的应用
材料科学
2016-11-01 v1
摘要
我们报道了利用原子分辨率Z衬度成像和先进图像处理，对InAs/GaSb II型应变层超晶格（T2SLs）中阳离子和阴离子亚晶格应变的直接测量。InAs和GaSb中的原子柱位置通过分离阳离子和阴离子峰强度来确定。对InAs/GaSb T2SLs的分析揭示了名义GaSb层中的压应变以及组成层之间界面的张应变，这分别表明In掺入名义GaSb层和类GaAs界面的形成。结果与依赖于模型的X射线衍射测量就界面化学混合与应变方面进行了比较。这些技术共同提供了对原子尺度应变的稳健测量，而这对于确定T2SL性质至关重要。
引用
@article{arxiv.1608.03007,
title = {Peak separation method for sub-lattice strain analysis at atomic resolution: Application to InAs/GaSb superlattice},
author = {Honggyu Kim and Yifei Meng and Jean-Luc Rouviére and Jian-Min Zuo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.03007},
year = {2016}
}
备注
15 pages, double spaced, 7 figures