用于高极化电子发射的应变补偿AlInGaAs-GaAsP超晶格
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
研究了首个采用应变补偿技术开发的超晶格光电阴极的自旋极化电子发射。利用InAlGaAs/GaAsP超晶格结构，在量子阱和势垒层中实现了相反的应变。对于工作层厚度为0.18 μm的结构，测得的最大极化率和量子产率接近任何应变超晶格光电阴极结构的最佳报道结果，展示了应变补偿在未来光电阴极应用中的巨大潜力。利用光发射谱分析估算了导致极化损失的参数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501159,
title = {Strain-Compensated AlInGaAs-GaAsP Superlattices for Highly-Polarized Electron Emission},
author = {A. V. Subashiev and L. G. Gerchikov and Yu. A. Mamaev and Yu. P. Yashin and J. S. Roberts and D. -A. Luh and T. Maruyama and J. E. Clendenin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501159},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 2 figures