用于太赫兹辐射的应变诱导 InGaAs/InAlAs 超晶格
材料科学
2018-08-10 v1
摘要
我们研究了 InGaAs/InAlAs 超晶格（SL）中残余应变在飞秒激光激发下对超快光载流子动力学的影响。我们提出并制备了一种新颖设计的应变 InGaAs/InAlAs SL，使我们能够在 InGaAs 光电导体无 Be 掺杂的情况下获得 1.5 ps 的超短光载流子弛豫时间。我们假定两种主导机制导致了 的急剧减小：InAlAs 势垒中缺陷能级的载流子俘获，以及由于 SL 中残余应变引起的 InGaAs/InAlAs 界面粗糙度处增强的光载流子散射。太赫兹时域光谱测量显示，随着 SL 中残余应变的增加，发射的太赫兹波形和频谱振幅均增大。该结果可能对满足太赫兹科学和技术基础与应用分支中太赫兹脉冲光谱与成像的需求具有重要参考价值。
引用
@article{arxiv.1808.03144,
title = {Strain-induced InGaAs/InAlAs superlattices for terahertz radiation},
author = {D. S. Ponomarev and A. E. Yachmenev and S. S. Pushkarev and R. A. Khabibullin and M. M. Grekhov and A. Gorodetsky and K. I. Zaytsev and D. I. Khusyainov and A. M. Buryakov and E. D. Mishina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.03144},
year = {2018}
}