含Ga的II型超晶格在长波红外探测中的灵活性
应用物理
2019-08-21 v1
摘要
本文从外延生长到器件性能，对长波II型InAs/GaSb超晶格（含Ga超晶格）的灵活性进行了探索与研究。首先，利用分子束外延生长了具有不同超晶格周期组分和厚度的若干样品，获得了在GaSb上近应变补偿、77K下能带隙介于105至169 meV的超晶格。其次，通过电子能带结构计算，提取并比较了不同生长超晶格的材料参数。最后，生长了两种具有不同超晶格周期的p-i-n器件结构，并比较了其电学性能。我们的研究表明，一种替代的超晶格设计有可能用于改善扩散受限长波红外探测器件的表现。
引用
@article{arxiv.1908.07298,
title = {Flexibility of Ga-containing Type-II superlattice for long-wavelength infrared detection},
author = {M. Delmas and D. C. M. Kwan and M. C. Debnath and B. L. Liang and D. L. Huffaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.07298},
year = {2019}
}
备注
8 Figures