基于Sb系应变层超晶格的短波红外雪崩光电探测器
应用物理
2021-04-02 v1
摘要
我们展示了一种低噪声短波红外（SWIR）Sb基II类超晶格（T2SL）雪崩光电二极管（APD）。该SWIR GaSb/(AlAsSb/GaSb) APD结构基于碰撞电离工程进行设计，并通过分子束外延在GaSb衬底上生长。在室温下，器件呈现1.74微米的50%截止波长。器件显示出电子主导的雪崩机制，在室温下增益值为48。我们计算并比较了电子与空穴碰撞电离系数，以更好地展望器件性能。实现了低过剩噪声，其特征载流子电离比约为0.07。
引用
@article{arxiv.2104.00251,
title = {Short wavelength infrared avalanche photodetector using Sb-based strained layer superlattice},
author = {Arash Dehzangi and Jiakai Li and Manijeh Razeghi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.00251},
year = {2021}
}
备注
11 pages , 6 figures