氮化硅单光子雪崩二极管综述
仪器与探测器
2026-05-11 v1
摘要
虽然在约十年后，一种氮化硅薄膜生长于硅基板后，成功应用于用于高速光纤通信检测器材料，但又需约十年时间，才能进一步将其用作主动光学感测和成像应用的传感器材料。本文将综述从 2011 年 Z. Lu 等人在低温下首次演示（至 2024 年 N. Na 等人的室温演示）到最近的短波红外 (SWIR) 单光子检测 (SPD) 使用氮化硅单光子雪崩二极管 (GeSi SPAD) 的进展。还将讨论潜在的新应用。
引用
@article{arxiv.2605.07343,
title = {Review of germanium-silicon single-photon avalanche diodes},
author = {Neil Na and Erik Chen and Gerald S. Bullerb and Robert H. Hadfield and Richard A. Sorefd},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.07343},
year = {2026}
}