实用的高速率 InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管
量子物理
2009-09-04 v1
摘要
我们提出了一种基于 InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管 (SPAD) 的高速近红外单光子探测的实用且易于实现的方法，该方法结合了正弦门控和自差分技术的优点。在 921 MHz 的门控频率和 -30 C 的温度下，我们实现了：9.3% 的探测效率，2.8 ns 的暗计数概率，而余后脉冲概率为 1.6 ns，并设置了 10 ns 的“计数关闭时间”。原则上，SPAD 的最大计数率可接近 100 MHz，这可以显著提升各种应用的性能。
引用
@article{arxiv.0908.2230,
title = {Practical fast gate rate InGaAs/InP single-photon avalanche photodiodes},
author = {Jun Zhang and Rob Thew and Claudio Barreiro and Hugo Zbinden},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.2230},
year = {2009}
}
备注
3 pages and a few lines, 5 figures, 1 table. Accepted by Applied Physics Letters