200 MHz 门控速率下 InGaAs/InP 单光子探测器的表征
量子物理
2015-03-19 v1
摘要
我们表征了一种基于 InGaAs/InP 雪崩光电二极管和自差分后处理技术的近红外单光子探测器。该探测器可在 200 MHz 及更高的门控速率下工作。其紧凑的集成设计采用印刷电路板，并利用全差分放大器实现了基于半导体的自差分减法。在 6.4% 的单光子探测效率下，该探测器的暗计数概率为每门 9×10⁻⁷，后脉冲概率为每次探测事件 6.3%，探测时间抖动为 150 ps，死时间为 5 ns（相当于一个门控周期）。此外，它还可以作为标准光电二极管工作，这有利于需要同时探测单光子和强光信号的应用。
引用
@article{arxiv.1105.3760,
title = {Characterization of an InGaAs/InP single-photon detector at 200 MHz gate rate},
author = {Chris Healey and Itzel Lucio-Martinez and Michael R. E. Lamont and Xiaofan Mo and Wolfgang Tittel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.3760},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 10 figures