基于亚皮秒弱相干脉冲的门控 InGaAs 探测器表征
量子物理
2022-07-12 v3 仪器与探测器
摘要
我们提出并演示了一种表征门控 InGaAs 单光子探测器（SPD）的方法。使用来自锁模亚皮秒脉冲激光器的超短弱相干脉冲，测量了相对于 SPD 门电压起始时刻不同到达时间下的光子计数。利用门窗口内不均匀的探测概率，针对各种探测器参数（过偏压、门窗口宽度和死时间）估算了后脉冲概率。通过对后脉冲概率衰减进行幂律拟合，我们估算出俘获载流子半衰期为 2.1 微秒。最后，我们使用分辨率为 55 ps 的时间数字转换器量化了 SPD 的时间抖动。
引用
@article{arxiv.2106.05599,
title = {Gated InGaAs Detector Characterization with Sub-Picosecond Weak Coherent Pulses},
author = {Gautam Kumar Shaw and Shyam Sridharan and Anil Prabhakar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.05599},
year = {2022}
}
备注
15 pages, 10 figures