死区时间与主动复位对 InGaAs/InP 单光子雪崩二极管后脉冲概率的影响
量子物理
2022-06-15 v4
摘要
我们详细研究了 InGaAs/InP 正弦门控 SPAD 中后脉冲概率对死区时间及其实现方式的依赖关系。我们展示了一种结合正弦门控与主动复位的电路方案。我们说明了从密钥分发角度看此类方案何时是有益的，以及何时足以使用带抢断比较器的简单方案。我们还提出了一种精确测量后脉冲的方法，并给出了描述该效应非马尔可夫动力学的模型。我们证明，与其他本文所考虑的方法相比，我们的后脉冲测量方法使这些测量对二极管电流参数和激光脉冲功率变化的依赖更小。
引用
@article{arxiv.2104.03919,
title = {Dead time duration and active reset influence on the afterpulse probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes},
author = {A. V. Losev and V. V. Zavodilenko and A. A. Koziy and A. A. Filyaev and K. I. Khomyakova and Y. V. Kurochkin and A. A. Gorbatsevich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.03919},
year = {2022}
}