低噪声 InGaAs/InP 单光子负反馈雪崩二极管的余脉冲研究
仪器与探测器
2014-11-04 v1
摘要
我们表征了自由运行负反馈雪崩二极管（NFAD）中余脉冲概率在从约 300 ns 到约 1 ms 的扩展时间范围内的时序演化。这得益于在 10% 效率下低至约 1 cps 的极低暗计数率，该暗计数率是通过将 NFAD 工作于低至 143 K 的温度实现的。我们将大范围工作温度（223-143 K）下的实验结果与基于离散能级多陷阱族的传统余脉冲模型进行了比较，发现该模型在物理完备性上有所欠缺。随后，我们扩展了一项近期提出的、考虑陷阱连续谱的方案，通过引入实验上观测到的明确谱边界来完善该方案。
引用
@article{arxiv.1411.0653,
title = {Afterpulsing studies of low noise InGaAs/InP single-photon negative feedback avalanche diodes},
author = {Boris Korzh and Tommaso Lunghi and Kateryna Kuzmenko and Gianluca Boso and Hugo Zbinden},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0653},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 5 figures