利用光调控异价界面的形成

将不同半导体材料集成到外延器件结构中，为每一层选择最优材料特性提供了额外的自由度。然而，不同价态材料（即III-V、II-VI和IV族半导体）之间的界面难以高质量形成。使用ZnSe/GaAs作为模型体系，我们探索在分子束外延异价界面生长过程中利用UV光照作为一种改变界面特性的方法。我们发现UV光照改变了界面处化学键的混合，使得Ga-Se键的形成得以发生，有助于钝化底层GaAs层。光照还有助于减少ZnSe外延层中的缺陷。这些结果表明，生长过程中的适度UV光照可作为一种改善界面两侧GaAs和ZnSe层光学性质的方法。