分子束外延(MBE)生长的 ZnSe-GaAs 异价结构的界面研究
材料科学
2020-06-24 v2
摘要
作为实现高质量 ZnSe-GaAs (100) 异价结构(HS)的一部分,我们通过光致发光(PL)和透射电子显微镜(TEM)对 ZnSe/GaAs 与 GaAs/ZnSe 界面进行了综合研究。考察了不同 GaAs 表面终止条件下 ZnSe/GaAs 界面的性质。研究发现,ZnSe/Ga 终止的 GaAs 具有更优的光学及微观结构质量,其化学界面由 GaAs 与 ZnSe 原子组分的混合物构成。对于 GaAs/ZnSe 界面研究,采用低温迁移增强外延(LT-MEE)生长技术在兼容 ZnSe 生长的条件下生长 GaAs 层。对 Ga 与 As 初始化的 LT-MEE GaAs/ZnSe 界面均进行了研究。在 As 初始化的 GaAs/ZnSe 界面处观察到一层缺陷过渡层,这可归因于 ZnAs 化合物的形成。本文详细讨论了所观察到的两种(GaAs/ZnSe 与 ZnSe/GaAs)界面的光学及结构性质与本研究所用生长条件之间的关联。该研究可为 ZnSe-GaAs HS 的界面性质提供有价值的见解。
引用
@article{arxiv.2003.11201,
title = {Interface Studies of Molecular Beam Epitaxy (MBE) Grown ZnSe-GaAs Heterovalent Structures},
author = {Zongjian Fan and Krishna Yaddanapudi and Ryan Bunk and Subhash Mahajan and Jerry M. Woodall},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.11201},
year = {2020}
}