拓扑 p-n 结中电子-电子相互作用的厚度依赖关系
介观与纳米尺度物理
2019-04-03 v1
摘要
研究了由垂直堆叠拓扑绝缘体构成的拓扑 p-n 结中的电子-电子相互作用。利用分子束外延沉积具有不同相对厚度的 n 型 Bi2Te3 与 p 型 Sb2Te3，并采用低温输运测量其电子性质。观察到屏蔽因子随样品厚度增加而减小，该发现得到半经典玻尔兹曼理论的佐证。由电子-电子相互作用确定的二维态数目大于由弱反局域化获得的数目，这与早先使用单层的实验一致。
引用
@article{arxiv.1812.04978,
title = {Thickness dependence of electron-electron interactions in topological p-n junctions},
author = {Dirk Backes and Danhong Huang and Rhodri Mansell and Martin Lanius and Jörn Kampmeier and David Ritchie and Gregor Mussler and Godfrey Gumbs and Detlev Grützmacher and Vijay Narayan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04978},
year = {2019}
}
备注
38 pages, 5 figures, 1 table