通过 H2 暴露调控金属-石墨烯界面处的 pn 结
介观与纳米尺度物理
2017-05-02 v3
摘要
结合实验与理论，我们研究了石墨烯与金属接触处自然形成的异质结如何通过分子氢（H2）的相互作用被调制。由于静电相互作用，Cr/Au 电极在石墨烯中诱导出 pn 结，导致电荷载流子（电子与空穴）间的不对称电阻。通过考虑 pn 结处的优先电荷散射，该不对称性得到了很好的建模，并且我们展示了通过使 H2 暴露于金属-石墨烯界面，可以可逆、选择性和不对称的方式调制该不对称性。我们的结果有助于理解金属-石墨烯界面的本质，并展示了通向氢传感器应用的新途径。
引用
@article{arxiv.1603.04873,
title = {Tuning the pn junction at a metal-graphene interface via H2 exposure},
author = {Alisson R. Cadore and Edrian Mania and Evandro A. Morais and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Rodrigo G. Lacerda and Leonardo C. Campos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04873},
year = {2017}
}