Mn$_{3-\delta}$Ga/MgO 界面在磁隧道结中的研究
材料科学
2014-08-01 v4
摘要
MnGa 赫斯勒化合物及其相关合金是实现磁隧道结中自旋转移力矩开关最有前景的材料。在这些多层结构器件中，高质量的界面可实现性能提升。在此背景下，MnGa 与 MgO 之间的界面因其在隧道结中的自旋极化特性而备受关注。我们利用硬 X 射线光电子能谱 (HAXPES) 对 MgO/MnGa 结进行了化学表征。实验表明界面处形成了 Ga-O 键，并证实了 MgO 薄膜附近 Mn 原子的局部环境发生了变化。此外，我们表明，在 MgO 和 Mn--Ga 薄膜之间插入金属 Mg 层可强烈抑制镓的氧化。
引用
@article{arxiv.1403.3556,
title = {Investigation on Mn$_{3-\delta}$Ga/MgO interface for magnetic tunneling junctions},
author = {C. E. ViolBarbosa and S. Ouardi and T. Kubota and S. Mizukami and G. H. Fecher and T. Miyazaki and X. Kozina and E. Ikenaga and C. Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3556},
year = {2014}
}