Co2MnSi(001)/MgO 界面的结构、化学和电子性质
材料科学
2013-05-22 v1
摘要
由铁磁 (FM) 电极和 MgO 绝缘势垒层构成的先进磁性隧道结的性能，决定性取决于 FM/绝缘体界面的性质。在此，我们利用俄歇电子能谱、低能电子衍射和低能光电子发射研究了半金属化合物 Co2MnSi (CMS) 与 MgO 之间的界面形成过程。研究针对不同的退火温度 TA 和 MgO 层覆盖度（4、6、10、20 和 50 ML）进行。薄的 MgO 顶层（t_MgO<=10 ML）表现出明显的表面晶体畸变，这种畸变仅能通过退火部分修复，并且在 MgO 表面暴露于空气后会导致碳物种的明显吸附。对于 t_MgO> 10 ML，MgO 层表面展现出明显改善的晶体结构，因此吸附物含量极少。我们将这些发现归因于界面处发生的 MgO 失配位错，这些位错在 MgO 层内诱导了进一步的缺陷，影响范围至少达 10 ML。此外，我们获得了覆盖度高达 20 ML 的 CMS/MgO 界面的自旋极化光电子能谱，在所有情况下均显示出费米能级附近清晰的正自旋极化。
引用
@article{arxiv.1209.5436,
title = {Structural, chemical and electronic properties of the Co2MnSi(001)/MgO interface},
author = {Roman Fetzer and Jan-Peter Wüstenberg and Tomoyuki Taira and Tetsuya Uemura and Masafumi Yamamoto and Martin Aeschlimann and Mirko Cinchetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.5436},
year = {2013}
}
备注
To be submitted to Physical Review B