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经验修正密度泛函理论下以铁基电极为引线的 MgO 隧道结中的隧穿磁阻

材料科学 2024-04-15 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

在密度泛函理论 (DFT) 中,少数自旋 Fe/MgO 界面态位于费米能级,但实验证据和 GW 计算将其置于略高的能量处。这种微小的移动会强烈影响具有薄 MgO 势垒的隧道结中的隧穿磁阻 (TMR) 及其对电极中 Co 浓度的依赖性。在此,引入了对 DFT 的经验势修正,以将界面态上移至与隧道谱数据相匹配。通过这种移动,在 3 和 4 个单层 (ML) 的 MgO 下,Fe/MgO/Fe 隧道结中的 TMR 分别超过 800% 和 3000%。我们进一步考虑了用高达 30% 的 Co 或 10% 的 V 对 Fe 电极进行合金化的效应,并在相干势近似 (CPA) 中对它们进行处理。与 Co 合金化使界面态展宽,并将大量非相干的少数自旋谱权重带到费米能级。与 V 合金化使少数自旋共振态接近费米能级。然而,在这两种情况下,费米能级处的少数自旋谱权重主要位于布里渊区边缘,这有利于自旋过滤。利用在 CPA 中计算出的 k\mathbf{k}_\parallel 分辨的势垒态密度的卷积,发现与 Co 或 V 合金化会强烈降低 TMR,但在 4 ML 的 MgO 且 Co 含量高达 30% 或 V 含量为 5% 的情况下,TMR 仍保持在 500% 以上。在 5 ML 时,所考虑的所有系统中的 TMR 均增至 1000% 以上。另一方面,虽然在使用纯 Fe 电极的磁性隧道结 (MTJ) 中,TMR 随偏压增加至 0.2 eV 而急剧下降,但如果电极与 Co 形成合金,则其偏压在高达 0.5 eV 时仍几乎保持恒定。

关键词

引用

@article{arxiv.2404.08103,
  title  = {Tunneling magnetoresistance in MgO tunnel junctions with Fe-based leads in empirically corrected density functional theory},
  author = {G. G. Baez Flores and M. van Schilfgaarde and K. D. Belashchenko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2404.08103},
  year   = {2024}
}

备注

10 pages, 14 figures