Al 终端对磁性隧道结中自旋输运的界面效应
介观与纳米尺度物理
2013-11-04 v1
摘要
实验表明，Co/Al₂O₃ 磁性隧道结 (MTJ) 中的隧穿电流是正自旋极化的，这与标准隧穿理论的直观预期相反——标准理论认为自旋极化仅取决于 Co 层在 处的态密度 (DOS)。在此，我们报告了理论结果，这些结果给出了与实验良好一致的正隧穿自旋极化和隧穿磁电阻 (TMR)。通过密度泛函理论 (DFT) 计算，具有原子级无序的富 Al 界面 MTJ 在界面附近显示出正极化的 DOS。我们还提供了一个原子模型计算，该计算揭示了正极化来源的见解。然后，使用从 DFT 结果中提取的值的层和自旋依赖有效质量模型来计算隧穿电流，该电流显示出正自旋极化。最后，我们从隧穿自旋极化计算 TMR，结果与实验吻合良好。
引用
@article{arxiv.0910.4415,
title = {Interfacial Effects of Al-Termination on Spin Transport in Magnetic Tunnel Junctions},
author = {T. Tzen Ong and A. M. Black-Schaffer and W. Shen and B. A. Jones},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4415},
year = {2013}
}