磁性隧道结中 MgO 与 Alox 阻挡层的自旋传输开关与自旋极化
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了基于 MgO 的磁性隧道结 (MTJ) 的自旋传输开关结果，其隧道磁阻比 (TMR) 可达最高 150%，且内在开关电流密度为 2-3 x A/cm。将切换数据与使用 AlOx 阻挡层的类似 MTJ 纳米结构进行比较。观察到 MgO 基 MTJ 的开关电流密度比 AlOx 基 MTJ 小 3-4 倍，这可归因于 MgO 基 MTJ 的更高隧道自旋极化率 (TSP)。此外，我们对一组样品进行了定性研究，TSP 范围从 0.22（AlOx）到 0.46（MgO），结果显示在有限偏置下的 TSP（负责当前驱动的磁化开关）相对于零偏置隧道自旋极化率有所抑制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510204,
title = {Spin Transfer Switching and Spin Polarization in Magnetic Tunnel Junctions with Mgo and Alox Barriers},
author = {Zhitao Diao and Dmytro Apalkov and Mahendra Pakala and Alex Panchula and Yiming Huai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510204},
year = {2009}
}
备注
To appear in Appl. Phys. Lett. soon