(111)取向结中由界面驱动的巨大隧穿磁电阻

Keisuke Masuda; Hiroyoshi Itoh; Yoshio Miura

doi:10.1103/PhysRevB.101.144404

(111)取向结中由界面驱动的巨大隧穿磁电阻

材料科学 2020-04-08 v1 介观与纳米尺度物理

作者: Keisuke Masuda , Hiroyoshi Itoh , Yoshio Miura

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摘要

我们从理论上研究了(111)取向结Co/MgO/Co(111)和Ni/MgO/Ni(111)中的隧穿磁电阻(TMR)效应。基于Co的结被证明具有超过2000%的TMR比,比基于Ni的结高一个数量级。高TMR比归因于界面共振效应:在多数自旋通道中,界面 $d$ - $p$ 反键态形成于费米能级附近,并且这两个界面中的这些态彼此共振。这与Fe(Co)/MgO/Fe(Co)(001)中高TMR比的传统相干隧穿机制有本质不同。

关键词

隧穿磁电阻界面共振 Co/MgO/Co(111) Ni/MgO/Ni(111) 自旋电子学

引用

@article{arxiv.2004.03057,
  title  = {Interface-driven giant tunnel magnetoresistance in (111)-oriented junctions},
  author = {Keisuke Masuda and Hiroyoshi Itoh and Yoshio Miura},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03057},
  year   = {2020}
}

备注

5 pages, 5 figures, 1 table

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