双势垒结中隧穿磁电阻的栅极控制
介观与纳米尺度物理
2008-09-08 v3
摘要
我们计算了双磁性隧穿结的电导和隧穿磁电阻（TMR），以Fe/ZnSe/Fe/ZnSe/Fe (001)组成的结作为模型实例。计算是作为施加在中间Fe层薄片上的栅极电压的函数进行的。我们发现，对中间Fe层薄片施加栅极电压会强烈影响结的TMR，这是由于量子阱态介导的电导共振的调谐或失谐。与改变中间Fe层薄片的厚度相比，栅极电压能够以更可控的方式显著增强TMR。这种效应可能有助于未来基于TMR效应的自旋电子器件的设计，这些器件需要大且可控的TMR值。
引用
@article{arxiv.0809.0626,
title = {Gate control of the tunneling magnetoresistance in double-barrier junctions},
author = {J. Peralta-Ramos and A. M. Llois},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0626},
year = {2008}
}
备注
Paper was written Feb. 2008. v2: minor corrections (misspelled author's name,introduction); v3: two references added