掺杂磁性钙锰酸石榴子晶体界面的大型双电平磁阻效应
强关联电子
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们对掺杂 La(2/3)Ca(1/3)MnO(3) 薄膜在 SrTiO(3) 双晶体上形成的单颗粒界垛体的隧道磁阻 (TMR) 效应进行了系统性分析。当磁场 H 沿粒子界面垛体平行于其施加时，观察到理想的双电平电阻开关行为，具有锐利的相位转换，在 4.2 K 时可达最高 300% 的 TMR 效应，仍保持在 77 K 时超过 100%。改变 H 与粒子界面的夹角后，电阻随 H 曲线呈现不同的形状。所观察到的行为可在粒子界面界面磁域锁定模型中予以解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008105,
title = {Large two-level magnetoresistance effect in doped manganite grain boundary junctions},
author = {J. B. Philipp and C. Hoefener and S. Thienhaus and J. Klein and L. Alff and R. Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008105},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, to appear in Phys. Rev. B (Rapid Comm.)