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掺杂锰酸盐晶界结中的低频1/f噪声

强关联电子 2009-11-07 v1 材料科学

摘要

我们对庞磁阻材料La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_{3-delta}的单晶界结中的低频1/f噪声进行了系统分析。晶界结形成于沉积在SrTiO_3双晶衬底上的外延La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_{3-delta}薄膜中,在4.2 K下表现出高达300%的巨大隧穿磁阻,以及理想的矩形电阻-外加磁场曲线。在居里温度T_C以下,测得的1/f噪声由晶界主导。噪声对偏置电流、温度和外加磁场的依赖性清楚地表明,大量低频噪声是由严重无序的晶界区域中具有涨落磁矩的局域位点引起的。在4.2 K下,噪声谱中出现了额外的暂态不稳定的洛伦兹分量,这很可能是由相互作用磁矩的涨落团簇引起的。结电极中磁畴涨落引起的噪声被发现不起显著作用。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0208556,
  title  = {Low frequency 1/f noise in doped manganite grain-boundary junctions},
  author = {J. B. Philipp and L. Alff and A. Marx and R. Gross},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208556},
  year   = {2009}
}

备注

9 pages, 7 figures